Budowa komórki układu Flash - Karty flash - Pamięć flash

Pamięć flash jest odmianą pamięci EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory). Kasowanie i zapis odbywa się przez podanie odpowiednich sygnałów elektrycznych. Nazwa "flash" pochodzi od możliwości bardzo szybkiego kasowania zapisanych komórek pamięci.

Budowę komórki pamięci flash przedstawia rys. 1. Komórka jest podobna do tranzystora polowego, ale z dwiema bramkami: bramką sterującą i bramką "pływającą". Jeśli komórkę wybrano do odczytu (bramka połączona jest z linią słowa pamięci), wtedy do bramki sterującej doprowadzone jest napięcie. Bramka "pływająca" nie jest bezpośrednio wyprowadzona, a jedynie ładunek tej bramki decyduje o przepływie prądu przez tranzystor. Ładunek bramki "pływającej" decyduje o napięciu progowym Ut, jeśli napięcie na bramce sterującej przekroczy Ut, wtedy tranzystor rozpoczyna przewodzenie.

Rys. 1. Budowa komórki pamięci typu flash.